Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7,страницы 903

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства

Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Определены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента.

Ключевые слова: гетероструктуры, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации.

Поступила в редакцию: 17.12.2018
Исправленный вариант: 25.01.2019
Принята в печать: 30.01.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47865.9045