RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 927–934 (Mi phts5457)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности ионизации примесей в квазиклассически сильных постоянном и переменном электрических полях в двумерной сверхрешетке на основе графена

П. В. Бадиковаa, С. Ю. Глазовab, Г. А. Сыродоевa

a Волгоградский государственный социально-педагогический университет
b Волгоградский государственный медицинский университет

Аннотация: Исследован коэффициент поглощения электромагнитной волны в двумерной сверхрешетке на основе графена, в присутствии постоянного электрического поля для случая квазиклассически сильных электрических полей. Выявлена анизотропия коэффициента поглощения при разной ориентации вектора напряженности постоянного и вектора поляризации переменного электрических полей. Показано, что медленный рост коэффициента поглощения при малых частотах обусловлен примесным поглощением, а более быстрый его рост при больших частотах определяется межминизонными переходами. Эти особенности можно использовать при создании детекторов излучения.

Ключевые слова: двумерная графеновая сверхрешетка, ионизация примесей, вероятность ионизации, туннелирование, коэффициент поглощения электромагнитной волны.

Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 04.02.2019
Принята в печать: 06.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47869.9057


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 911–918

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024