RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 935–939 (Mi phts5458)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины

С. М. Подгорныхab, М. В. Якунинab, С. С. Криштопенкоc, М. Р. Поповa, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и магнитосопротивления двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины в диапазоне температур $T$ = 35–300 K в магнитных полях до 9 Тл. Положение обнаруженного ранее в квантовом эффекте Холла возвратного перехода с плато $i$ = 1 на плато $i$ = 2 при возрастании магнитного поля близко к полю перехода от легких к тяжелым дыркам в режиме классического эффекта Холла. Найдено, что при $T\ge$ 35 K вместе с легкими и тяжелыми дырками в эффекте Холла появляются термоактивированные легкие электроны. По температурной зависимости концентрации электронов оценена энергия активации электронов – 28 мэВ, что превышает рассчитанное расстояние от бокового максимума валентной подзоны до края ближайшей подзоны проводимости, вероятно, из-за асимметрии гетероструктуры.

Ключевые слова: эффект Холла, магнитосопротивление, квантовая яма.

Поступила в редакцию: 19.02.2019
Исправленный вариант: 26.02.2019
Принята в печать: 26.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47870.9087


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 919–922

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024