RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 940–946 (Mi phts5459)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры

Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев

Воронежский государственный университет

Аннотация: Целью работы является показать влияние толщины слоев на особенности морфологии и оптических свойств наноструктур MоS$_{2}$, в том числе мономолекулярных слоев, образующихся при газотранспортном переносе паров серы в горячую зону реактора с металлическим молибденом и последующем осаждении на подложку из слюды (мускавит). Результаты исследования методами атомной силовой микроскопии АСМ, оптической спектроскопии поглощения и рамановской спектроскопии наноструктур дисульфида молибдена разной толщины, полученных при различных температурах газотранспортного синтеза, показывают, что в интервале температур 525–600$^\circ$C можно получить мономолекулярный слой MоS$_{2}$, содержащий тригональные домены и обладающий шириной запрещенной зоны 1.84 эВ при прямозонном оптическом переходе с образованием экситонов при комнатной температуре. Впервые получены фракталообразные субструктуры, в рамановских спектрах которых значения мод внутрислоевых и межслоевых колебаний $E^{1}_{2g}$ 377.5 и $A_{1g}$ 403.8 см$^{-1}$ отличаются не только от соответствующих значений мод мономолекулярного слоя, но и от известных значений объемных образцов. Частота внутрислоевой моды в этих образцах $E^{1}_{2g}$ 377.5 см$^{-1}$ имеет минимальное из всех известных значений.

Ключевые слова: дисульфид молибдена, газотранспортный синтез, мономолекулярный слой, прямозонный переход, тригональные домены.

Поступила в редакцию: 25.02.2019
Исправленный вариант: 05.03.2019
Принята в печать: 05.03.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47871.9090


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 923–929

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024