RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 953–957 (Mi phts5461)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Зависимость проводимости слоев пористого кремния от направления переноса носителей заряда

Е. А. Гусева, Е. А. Форш

Московский государственный автомобильно-дорожный институт (технический университет)

Аннотация: Представлено исследование механизмов переноса носителей заряда в слоях мезопористого кремния для случаев переноса вдоль поверхности слоя (перпендикулярно кремниевым колоннам) и перпендикулярно поверхности слоя (вдоль кремниевых колонн). Установлено, что проводимость, измеряемая вдоль поверхности слоя, значительно ниже проводимости, измеряемой перпендикулярно поверхности. Из анализа температурных и частотных зависимостей проводимости сделан вывод о различных механизмах переноса носителей заряда в рассматриваемых случаях (вдоль и перпендикулярно поверхности).

Ключевые слова: наноструктурированный кремний, потенциальные барьеры, механизм переноса носителй заряда, температурные зависимости проводимости, частотные зависимости проводимости.

Поступила в редакцию: 18.10.2018
Исправленный вариант: 28.02.2019
Принята в печать: 05.03.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47873.9007


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782619070108

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024