RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 964–970 (Mi phts5463)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование

И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников

Тверской государственный университет

Аннотация: Размерная зависимость температуры плавления наночастиц Si исследовалась с использованием как молекулярно-динамического, так и термодинамического моделирования, основывающегося на применении формулы Томсона. Результаты атомистического моделирования, полученные с использованием потенциала Стиллинджера-Вебера, согласуются с результатами других авторов, а также с результатами термодинамического моделирования и предсказывают уменьшение температуры плавления $T_{m}$ наночастиц Si с увеличением их обратного радиуса $R^{-1}$ по линейному закону. Имеющиеся экспериментальные данные предсказывают более низкие значения $T_{m}$, включая предельное значение $T_{m}^{(\infty)}$, отвечающее линейной экстраполяции экспериментальных точек к $R^{-1}\to0$ (т. е. к радиусу $R\to\infty$), причем занижение составляет 200–300 K по сравнению с табличным значением температуры плавления кремния (1688 K). Учитывая это, сделан вывод о том, что молекулярно-динамические результаты для $T_{m}(R^{-1})$, полученные с использованием потенциала Стиллинджера–Вебера, являются более адекватными, чем имеющиеся экспериментальные данные.

Ключевые слова: нанокремний, температура плавления, размерная зависимость, молекулярная динамика, термическое моделирование.

Поступила в редакцию: 05.06.2018
Исправленный вариант: 27.02.2019
Принята в печать: 28.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47875.8927


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 947–953

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024