RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 971–977 (Mi phts5464)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Углеродные системы

Эпитаксиальный карбин: аналитические результаты

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом функций Грина в приближении сильной связи получены аналитические выражения для электронных спектров и плотностей состояний двух структурных модификаций карбина (кумулена и полиина). В качестве подложек рассмотрены металл и полупроводник, приведены соответствующие оценки перехода заряда. С учетом внутри- и межатомного кулоновского отталкивания получены критерии появления волны зарядовой плотности в свободном и эпитаксиальном карбине. Приведены аналитические выражения для фононного спектра свободного карбина. Полученные результаты сопоставлены с результатами численных расчетов других авторов.

Ключевые слова: карбин, кулоновское взаимодействие, металлическая и полупроводниковая подложки, переход заряда.

Поступила в редакцию: 03.12.2018
Исправленный вариант: 28.02.2019
Принята в печать: 28.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47876.9036


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 954–961

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024