RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 978–984 (Mi phts5465)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I. Численное моделирование

А. С. Кюрегян

ПАО НПО "Электромодуль", Москва, Россия

Аннотация: Методами имитационного компьютерного моделирования впервые детально исследована работа диффузионных диодов с резким восстановлением в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов. Указано одно из необходимых условий, минимизирующих потери в диффузионных диодах с резким восстановлением. Получены зависимости напряжения предимпульса, длительности фронта, амплитуды, длительности импульса, формируемого на активной нагрузке, и энергии коммутационных потерь в диффузионных диодах с резким восстановлением от площади прибора и плотности обрываемого тока. Показано, что результаты моделирования описываются полученными во второй части работы простыми аналитическими формулами с точностью 10–20%, если амплитуда импульса не превосходит напряжение лавинного пробоя диффузионных диодах с резким восстановлением. Предложен обобщенный показатель качества диффузионных диодов с резким восстановлением, который можно использовать для оптимизации его параметров, режима работы и сравнения эффективности прерывателей тока различных типов.

Ключевые слова: прерыватели тока, диффузионные диоды с резким восстановлением, компьютерное моделирование, показатель качества.

Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 18.01.2019
Принята в печать: 29.01.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47877.9055


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 962–968

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024