RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 985–990 (Mi phts5466)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория

А. С. Кюрегян

ПАО НПО "Электромодуль", Москва, Россия

Аннотация: Получены приближенные аналитические формулы, позволяющие оценить основные параметры диффузионных диодов с резким восстановлением, при работе в качестве прерывателей тока в мощных генераторах наносекундных импульсов с промежуточным индуктивным накопителем энергии: напряжение паразитного предымпульса, характеризующее резистивные потери в диффузионных диодах с резким восстановлением, амплитуду, длительность фронта, максимальную скорость нарастания напряжения и длительность импульса, формируемого на активной нагрузке. Для сравнения приводятся аналогичные формулы для эпитаксиальных диодов с резким восстановлением, частично полученные впервые, а частично уточняющие ранние результаты.

Ключевые слова: прерыватели тока, диоды с резким восстановлением, аналитическая теория, параметры формируемых импульсов.

Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 18.01.2019
Принята в печать: 29.01.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47878.9056


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 969–974

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024