Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами

Исследовано влияние низкотемпературного (до 600$^\circ$С) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе $n$-4$H$-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300$^\circ$С. При увеличении температуры отжига до 500$^\circ$С происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500$^\circ$С, 30 мин.