Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния

Представлены данные по зависимости скорости роста слоев Si, осаждаемых гидридным методом на Ge(111), от их толщины на начальной стадии гетероэпитаксии. Показано влияние подложки Ge в пределах 10 наращиваемых кремниевых монослоев на скорость роста пленки Si. На основании полученных данных проведен расчет кинетических коэффициентов, ответственных за скорости протекания основных физико-химических процессов, связанных с взаимодействием молекулярных пучков гидридов с ростовой поверхностью. Анализ вероятности захвата и скоростей пиролиза адсорбируемых молекул гидрида Si (Ge) на чистых поверхностях Ge (Si) показал зависимость их поведения от толщины наращиваемого слоя. Из сопоставления полученных при росте слоя Si на Ge результатов обнаружено, что чистая поверхность германия по отношению к молекулам силана обладает более высокими адсорбционной и каталитической способностями, чем чистая поверхность Si. По отношению к молекулам гидридов Ge более высокими адсорбционными и каталитическими характеристиками обладает чистая поверхность ненапряженного кремния.