Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)

Представлены результаты исследований полуполярных слоев GaN, синтезированных на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что применение нанорельефа Si(100) в сочетании с нанополосками Si$_{x}$N$_{y}$ на вершинах наноструктур при газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений может приводить к формированию слоев GaN(10$\bar1$2), а дополнительное использование буферного слоя SiC позволяет получить слои GaN(10$\bar1$1) c полушириной кривой дифракции $\omega_\theta\approx$ 35'. Обнаружено, что люминесцентные свойства полуполярных слоев обусловлены преимущественно дефектами упаковки BSF$_{S}$-I$_{1}$ (basal plane stacking faults), в отличие полярных слоев, где в основном они обусловлены рекомбинацией экситонов.