Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

Показано влияние использования переходного нанопористого подслоя кремния por-Si на морфологические, физические и структурные свойства наноколончатых структур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на монокристаллических Si(111) подложках. Комплексом структурно-спектроскопических методов анализа изучено электронное строение выращенных гетероструктур, морфология и оптические свойства, а также установлены взаимосвязи между ними. Показано, что использование подслоя por-Si позволяет получить более однородное распределение диаметров наноколонн In$_{x}$Ga$_{1-x}$N, равно как увеличить интенсивность фотолюминесценции последних.