RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 756–760 (Mi phts5476)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Радиационные термоэлементы на основе теллурида висмута, получаемые методом импульсного лазерного осаждения

А. Е. Шупеневa, И. С. Коршуновa, А. С. Ильинb, А. С. Осипковa, А. Г. Григорьянцa

a Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
b Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, г. Москва

Аннотация: Радиационные термоэлементы являются структурной единицей сенсоров, используемых при измерении энергетических параметров различного излучения в диапазоне длин волн от 0.1 до 100 мкм. В настоящей работе исследуется вопрос перспективности использования пленок $p$-Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ в радиационных термоэлементах на различных подложках, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Теплофизический расчет и экспериментальные исследования опытных образцов показали, что с использованием полиимидных подложек можно обеспечить коэффициент преобразования около 1 В/Вт для приемной площадки диаметром 16 мм, при этом постоянная времени составит около 10 с.

Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47722.31


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 747–751

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024