RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 770–773 (Mi phts5479)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn

Ф. Ю. Соломкинa, А. С. Ореховbc, С. В. Новиковa, Н. А. Архароваb, Г. Н. Исаченкоa, Н. В. Зайцеваa, Н. В. Шаренковаa, А. Ю. Самунинa, В. В. Клечковскаяb, А. Т. Бурковa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Исследованы структура, состав и термоэлектрические свойства моносилицида кобальта, полученного из пересыщенного раствора-расплава в олове. Разработана методика синтеза и направленной кристаллизации микрокристаллического и объемного текстурированного материалов в одном технологическом цикле.

Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47725.34


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 761–764

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024