RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 781–783 (Mi phts5482)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Моделирование процесса усадки термоэлектриков при искровом плазменном спекании на примере Ge–Si

А. С. Тукмакова, К. Л. Самусевич, А. В. Новотельнова, И. Л. Тхоржевский, Е. С. Макарова

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Проведено моделирование усадки термоэлектрического материала на основе Ge–Si $p$-типа в процессе искрового плазменного спекания. Моделирование выполнено методом конечных элементов в программе Comsol Multiphysics. Модель механических процессов была основана на результатах ранее опубликованных работ, посвященных моделированию спекания порошковых металлических материалов и керамик. Описание механических процессов включало упругую и пластическую деформацию обрабатываемого материала. В процессе расчета учитывалось влияние пористости материала на тепловые, электрические и механические свойства. Проведен расчет давления спекания в образце. Рассчитано изменение диаметра образца при выдержке при максимальной температуре.

Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47728.37


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 772–774

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025