RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 784–788 (Mi phts5483)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Структура и термоэлектрические свойства пленочных композитов на основе CoSi

В. С. Кузнецоваa, С. В. Новиковa, Ч. К. Ниченаметлаb, И. Кальвоb, М. Вагнер-Ритцb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт Фраунгофера фотоники микросистем – Центр технологий наноэлектроники, Германия, Дрезден,

Аннотация: Изучаются свойства тонких пленок Co–Si, полученных методом термического спекания слоев Co и Si. Слои Co и Si были получены методом химического осаждения паров. Для образования силицида кобальта полученная двухслойная структура отжигалась при температуре 760 K в течение 12 ч. Термоэлектрические свойства пленочных структуру были исследованы в интервале температур 300–800 K. Температурные зависимости термоэдс (thermopower) и удельного сопротивления, а также структурные данные указывают на образование многослойной структуры, содержащей слои с избытком кремния и кобальта.

Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47729.38


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 775–779

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024