Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока

Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик изотипных гетероструктур $n^{+}$–GaAs/$n^{0}$–GaAs/N$^{0}$–AlGaAs/N$^{+}$–AlGaAs/$n^{+}$–GaAs и гомоструктур $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs. Показано, что в гетероструктуре при обратной полярности, обеспечивающей инжекцию электронов из $n^{0}$-GaAs в N$^{0}$-AlGaAs, максимальное рабочее напряжение достигает 48 В при толщине N$^{0}$-AlGaAs слоя 1.0 мкм, а вольт-амперная характеристика гетероструктуры не имеет области отрицательного дифференциального сопротивления. Работа гомоструктуры сопровождалась переходом в область отрицательного дифференциального сопротивления при напряжении 10 В. Теоретический анализ, проведенный с использованием модели энергетического баланса, показал, что в изотипной гетероструктуре при обратной полярности область отрицательного дифференциального сопротивления отсутствует, так как в данном случае не происходит “схлопывания” домена поля, как это происходит в гомоструктурах.