RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 824–828 (Mi phts5490)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$

К. А. Дроздовa, И. В. Крыловa, А. С. Чижовb, М. Н. Румянцеваb, Л. И. Рябоваb, Д. Р. Хохловa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Внедрение в пористую матрицу ZnO нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ приводит к появлению положительного отклика фотопроводимости в видимом спектральном диапазоне. Измерение спектральных зависимостей поглощения, фотолюминесценции и фотопроводимости пoказало, что форма и положение пика фотолюминесценции связаны с дефектами в CsPbBr$_{3}$. Анализ кинетики релаксации фотопроводимости показывает возможность ускорения процесса рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда более чем на порядок. Обсуждаются механизмы, ответственные за эффект.

Поступила в редакцию: 10.12.2018
Исправленный вариант: 18.12.2018
Принята в печать: 18.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47736.9042


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 814–818

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024