RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 850–855 (Mi phts5495)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя $p$$n$-перехода

А. С. Шашкинаa, С. Д. Ханинb

a Санкт-Петербургский государственный институт кино и телевидения
b Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование лавинного пробоя $p$$n$-перехода с целью изучения временного распределения микроплазменных импульсов. Выявлено, что наблюдаемый вид микроплазменного шума не описывается существующей моделью процессов, происходящих при лавинном пробое $p$$n$-перехода. С помощью имитационного моделирования была разработана компьютерная модель, проясняющая механизмы неустойчивости микроплазмы и учитывающая электрические и температурные зависимости лавинного пробоя, которая согласуется с результатами экспериментов.

Поступила в редакцию: 29.10.2018
Исправленный вариант: 25.01.2019
Принята в печать: 30.01.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47741.8983


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 838–843

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024