RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 865–871 (Mi phts5498)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Состав, структура, полупроводниковые свойства химически осажденных пленок SnSe

Л. Н. Маскаеваab, Е. А. Федороваa, В. Ф. Марковab, М. В. Кузнецовc, О. А. Липинаc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200 $\pm$ 10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO$_{2}$. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.

Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 14.01.2019
Принята в печать: 14.01.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47744.9058


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 853–859

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024