RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 597–603 (Mi phts5501)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Эффекты Холла и Зеебека в тонких пленках висмута на подложке из слюды в диапазоне температур 77–300 K

В. А. Комаров, В. М. Грабов, А. В. Суслов, Н. С. Каблукова, М. В. Суслов

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основе экспериментальных результатов исследования эффектов Холла и Зеебека пленок висмута на подложке из слюды проведен анализ влияния толщины пленок и размеров блоков на величину коэффициентов Холла и Зеебека. Выявлено преимущественное уменьшение вклада электронов при уменьшении толщины пленок и преимущественное уменьшение вклада дырок при уменьшении размера блоков. В рамках классического размерного эффекта с учетом рассеяния на границах блоков и анизотропии свойств носителей заряда проведен расчет коэффициентов Холла и Зеебека. При расчете использовались значения компонент подвижностей электронов и дырок и их концентрация в монокристалле висмута, а также учитывалась кристаллографическая ориентация пленочного кристалла. Результаты расчетов хорошо совпадают с экспериментальными результатами. Сделан вывод о том, что величина и знак коэффициентов Холла и Зеебека в пленках висмута определяются конкурирующим влиянием классического размерного эффекта и рассеяния на границах блоков.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47545.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 593–598

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024