RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 659–663 (Mi phts5514)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Материалы на основе твердых растворов теллуридов висмута и сурьмы, полученные методами быстрой кристаллизации расплава

Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН

Аннотация: Исследованы твердые растворы Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ $p$-типа проводимости, полученные горячим прессованием и экструзией порошков, приготовленных методами быстрой кристаллизации расплава: спиннингованием расплава и кристаллизацией расплава в жидкости. Морфология порошков, поверхности скола образцов и их микроструктура изучены с помощью оптической, сканирующей электронной и туннельной микроскопии. Механические свойства образцов исследованы при деформации сжатием при комнатной температуре. Коэффициент Зеебека, электропроводность и теплопроводность материалов измерены в интервале температур 100–600 K. Для материалов, экструдированных из гранул, полученных кристаллизацией расплава в воде и измельченных в планетарной мельнице, получена наибольшая величина предела прочности на сжатие $\sigma_{\mathrm{B}}$ = 145 МПа при 300 K и максимальная термоэлектрическая добротность $(ZT)_{\operatorname{max}}$ = 1.34 при 370 K.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47558.16


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 652–656

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024