RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 664–668 (Mi phts5515)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Термоэлектрические свойства полуметаллических и полупроводниковых фольг и нитей Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$

А. Николаеваab, Л. Конопкоab, И. Гергишанa, К. Рогацкийb, П. Стачовикb, А. Ежовскиb, В. Шепелевичc, В. Прокошинc, С. Гусаковаc

a Инстутут электронной инженерии и нанотехнологии им. Д. Гицу, Кишинев, Молдова
b Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
c Белорусский государственный университет, г. Минск

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований термоэлектрических свойств – проводимости, термоэдс, теплопроводности – микротекстурированных фольг и монокристаллических нитей на базе полуметаллических и полупроводниковых сплавов Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$, в интервале температур 4.2–300 K. Установлено, что в нитях Bi–17ат%Sb энергетическая щель $\Delta E$ возрастает с уменьшением диаметра нитей $d$, что является проявлением квантового размерного эффекта. В области низких температур ($T<$ 50 K) в нитях с $d<$ 0.4 мкм проводимость возрастает вследствие существенного вклада высокопроводящих поверхностных состояний, характерных для топологических изоляторов. Впервые обнаружено, что теплопроводность полуметаллических фольг Bi–3ат%Sb в области низких температур на 2 порядка, а в полупроводниковых Bi–16ат%Sb на 1 порядок меньше, чем в массивных монокристаллах соответствующего состава, вследствие значительного рассеяния фононов на границах зерен и поверхности. Это привело к значительному возрастанию термоэлектрической эффективности и может быть использовано в миниатюрных термоэлектрических преобразователях энергии.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47559.17


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 657–661

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024