RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 669–673 (Mi phts5516)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Миниатюрный датчик теплового потока на основе микропровода Bi–Sn в стеклянной изоляции

Л. А. Конопкоa, А. А. Николаеваa, Т. Е. Хуберb, А. К. Кобылянскаяa

a Институт электронной инженерии и нанотехнологий им. Д. Гицу, Кишинев, Молдавия
b Химический факультет, Ховард Университет, Вашингтон, США

Аннотация: Рассматривается термоэлектрическое преобразование энергии, основанное на одном элементе, изготовленном из анизотропного материала. В таких материалах тепловой поток генерирует поперечное ему электрическое поле. Мы изготовили экспериментальный образец датчика теплового потока, состоящего из 10-метрового отрезка монокристаллического микропровода висмута, допированного оловом, в стеклянной изоляции (внешний диаметр $D$ = 18 мкм, диаметр микропроводоа $d$ = 4 мкм). Микропровод был намотан в плоскую спираль после перекристаллизации в сильном электрическом поле, в процессе которой главная кристаллографическая ось $C_{3}$ была ориентирована под оптимальным углом относительно оси микропровода. Чувствительность датчика достигла 10$^{-2}$ В/Вт с постоянной времени $\tau\approx$ 0.2 с. Технология изготовления датчиков довольно проста и надежна для использования в промышленном производстве.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47560.18


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 662–666

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024