RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 706–709 (Mi phts5524)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Электронные свойства полупроводников

Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обсуждаются две различные схемы оценок электронного сродства политипов SiC и их связь с результатами расчетов из первых принципов. Предложены простые поправки к правилам Шокли–Андерсона для построения зонных диаграмм гетеропереходов.

Поступила в редакцию: 08.10.2018
Исправленный вариант: 10.12.2018
Принята в печать: 17.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47568.8995


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 699–702

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024