Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах $^{119mm}$Sn($^{119m}$Sn), $^{119m}$Te($^{119m}$Sn), $^{125}$Sn($^{125}$Te) и $^{125m}$Te($^{125}$Te) продемонстрировано образование антиструктурных дефектов в стеклообразных сплавах Ge$_{20}$Te$_{80}$ и Ge$_{15}$As$_{4}$Te$_{81}$ в виде атомов олова в узлах теллура и атомов теллура в узлах германия. Показано, что изовалентное замещение атомов германия атомами олова не изменяет симметрию локального окружения узлов германия, тогда как атомы олова и теллура в несвойственных для них позициях перестраивают свое локальное окружение.