Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге

Исследованы профили концентрации дефектов, образовавшихся в структурах после имплантации ионов азота в эпитаксиальные слои GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями и последующего отжига. Энергии ионов и дозы имплантации выбирались таким образом, чтобы концентрационные профили атомов азота совпадали в структурах обоих типов. В исследуемых образцах измерялись спектры обратного резерфордовского рассеяния протонов в случайном и каналирующих режимах и рассчитывались профили концентрации образовавшихся точечных дефектов. Установлено, что имплантация ионов азота вводит примерно одинаковое количество точечных дефектов в оба типа структур, а формирование пленки AlN с помощью ионно-плазменного распыления сопровождается образованием дополнительного количества дефектов. Однако после отжига структур обоих типов концентрация остающихся дефектов примерно одинакова.