Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник

Представлены результаты исследования свойств потенциального барьера Cr–$p$-Si вблизи температур фазового перехода антиферромагнетик/парамагнетик в Cr. Обнаружено значительное изменение потенциального барьера и аномальное увеличение проводимости в структуре Cr–$p$-Si-Au вблизи температуры фазового перехода 2-го рода антиферромагнетик/парамагнетик в хроме. Установлено, что по мере приближения к температуре фазового перехода в структуре наблюдается нарастание флуктуаций тока. Интерпретация полученных экспериментальных результатов строится на предположении о том, что наблюдаемые изменения электронных транспортных свойств контакта Cr–Si обусловлены изменением положения квазиуровня Ферми хрома в результате фазового перехода 2-го рода.