Резонансное поглощение электромагнитного излучения в монослое фосфорена

Найден коэффициент поглощения электромагнитного излучения в монослое фосфорена, помещенном в магнитное поле. Рассмотрен вырожденный и невырожденный электронный газ. Установлены резонансные зависимости коэффициента поглощения от частоты излучения и от приложенного магнитного поля. Учет рассеяния электронов на ионизованной примеси приводит к осцилляционным зависимостям коэффициента поглощения от частоты излучения и внешнего магнитного поля. Показан резонансный характер кривой поглощения. Найдены условия резонансов и положения резонансных пиков.