Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si

Измерены экспериментально и описаны теоретически температурные зависимости удельного контактного сопротивления кремния $\rho_{c}$ со ступенькой легирования. Измерения проведены в диапазоне температур от 4.2 до 380 K. Установлено, что контакты исследованных структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si являются омическими. Показано, что минимальная величина $\rho_{c}$ реализуется при $T$ = 75 K. Ее значение растет как при понижении температуры (вследствие эффекта вымораживания), так и при повышении температуры (из-за наличия слоя обогащения электронами на границе с объемом). Установлено, что в приконтактной области, в слое толщиной порядка микрона, происходит сильное уменьшение объемной концентрации электронов вследствие компенсации кремния глубокими акцепторами, возникающими из-за образования достаточно большой концентрации вакансий при релаксации напряжений и появления большой плотности дислокаций, а также вследствие их диффузии от контакта после прогрева до 450$^\circ$C. Данные о существовании дефектов вакансионного типа подтверждены рентгеновскими измерениями. Из рентгеновских измерений оценена также плотность дислокаций в исследованных структурах.