RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 502–507 (Mi phts5543)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния

И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света в пленках SiO$_{2}$, содержащих сферические нанокристаллы InSb, полученные методом ионно-лучевого синтеза. TO- и LO-подобные моды в спектрах нанокристаллов InSb были обнаружены на частотах 187 и 195 cм$^{-1}$ соответственно. Высокочастотное смещение этих мод по сравнению с их значениями в объемных кристаллах InSb проанализировано с точки зрения влияния квантово-размерного эффекта, механических напряжений в нанокристаллах, частоты поверхностного фонона, а также рассеяния на частоте, соответствующей растянутым анион-катионным модам на поверхности полярных сферических нанокристаллов. Положение моды 195 cм$^{-1}$ соответствует LO-фонону в нанокристаллах InSb, гидростатически сжатых в матрице SiO$_{2}$ при давлениях $\sim$10 кбар. Мода 187 cм$^{-1}$ соответствует резонансу на частоте Фрелиха.

Поступила в редакцию: 25.10.2018
Исправленный вариант: 05.11.2018
Принята в печать: 05.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47449.9013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 493–498

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024