RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 533–539 (Mi phts5548)

Физика полупроводниковых приборов

Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом

А. В. Горбатюкa, Б. В. Ивановb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Впервые получено самосогласованное расчетно-теоретическое описание физических процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом. Обосновано упрощенное представление нелинейного многомасштабного механизма взаимодействия между инжекционной и теплоотводящей подсистемами, и на этой основе разработан метод расчета максимальной частоты РВД-коммутатора. Рассчитана зависимость допустимой частоты от мощности охладителя для заданных параметров чипа и формы коммутируемых импульсов. Показано, что при обеспечении надлежащего теплоотвода единичные РВД-модули с площадью чипа 1 см$^{2}$ и рабочим напряжением $U\approx$ 2.5 кВ будут способны переключать энергию 0.25 Дж за импульс с частотой повторения до 30 кГц. Для высоковольтных генераторов на их основе с $U\approx$ 100 кВ передаваемая в нагрузку мощность на этой частоте составит несколько долей МВт.

Поступила в редакцию: 22.10.2018
Исправленный вариант: 29.10.2018
Принята в печать: 29.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47454.9009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 524–529

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024