Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов

Экспериментально установлено, что при воздействии электронов с энергией 0.9 МэВ заметные изменения вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов 4$H$-SiC pin-диодов наблюдаются после доз $\Phi\ge$ 1.4 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. При смещениях менее 2 В токи прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики с ростом дозы меняются немонотонно, что объясняется взаимодействием возбужденной электронной подсистемы с метастабильными дефектами. При этом наблюдается устойчивый рост коэффициента идеальности и последовательного сопротивления диодов на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики при смещении более 2 В. Надежная работа малошумящих 4$H$-SiC pin-диодных СВЧ-устройств в условиях электронного облучения возможна до накопления дозы $\Phi\le$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. В СВЧ-устройствах, в которых уровни низкочастотных шумов не важны, но нужна стабильность режимных параметров, доза может быть повышена до $\Phi\approx$ 8 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$.