RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 291–308 (Mi phts5556)

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Обзоры

Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)

М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Настоящий обзор работ посвящен открытию, разработке технологии и исследованию полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, проводимых в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ, Физтех), где в 1950 г. были сделаны первые шаги в получении полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и начальные исследования их фундаментальных свойств под руководством двух крупных ученых – Нины Александровны Горюновой и Дмитрия Николаевича Наследова. Дальнейшее развитие этих работ нашло отражение в трудах последователей и учеников Д.Н. Наследова, работавших и продолжающих работать в подразделениях ФТИ. Будет рассмотрен вклад этих исследований в изучение гетероструктур на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, а также в разработку полупроводниковых приборов для электроники, оптоэлектроники и фотоники.

Поступила в редакцию: 11.10.2018
Исправленный вариант: 16.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47278.8998


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 273–290

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024