RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 309–313 (Mi phts5557)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$

З. И. Бадаловаa, Н. А. Абдуллаевa, Г. Х. Аждаровa, Х. В. Алигулиеваa, С. Ш. Кахрамановa, С. А. Немовb, Н. T. Maмедовa

a Институт физики НАН Азербайджана
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Изучены температурные зависимости активных в рамановском (комбинационном) рассеянии частот $E_{g}^{2}$, $A_{1g}^{2}$ в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$. Определен вклад теплового расширения в температурное изменение частот. Показано ослабление анизотропии упругих свойств в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$ за счет сильного спин-орбитального взаимодействия. Вычислены модовые параметры Грюнайзена для фононов $E_{g}^{2}$ и $A_{1g}^{2}$. Установлены закономерности в зависимостях величин частот колебаний от масс атомов в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Te$_{3}$, Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Sb$_{2}$Te$_{3}$.

Поступила в редакцию: 25.09.2018
Исправленный вариант: 03.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47279.8987


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 291–295

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024