RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 317–322 (Mi phts5559)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, Т. А. Говорковаb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет

Аннотация: Рассмотрены спектры электронного парамагнитного резонанса ионов переходного металла Fe в матрице HgSe. Их вид является стандартным для иона Fe$^{3+}$, т. е. содержит 5 линий тонкой структуры с расщеплением, соответствующим слабому кристаллическому полю. Спектр наблюдается при температурах $T\le$ 50 K. Линии в спектрах искажены и имеют дайсоновскую форму. Анализ температурных зависимостей амплитуд линий показывает, что с понижением температуры происходит переход от парамагнетизма к ферромагнетизму с температурой Кюри $T\approx$ 7 K.

Поступила в редакцию: 10.09.2018
Исправленный вариант: 17.09.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47281.8980


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 296–297

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024