RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 329–331 (Mi phts5561)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K

В. П. Махнийa, Н. Д. Вахнякb, О. В. Кинзерскаяa, Ю. П. Пирятинскийc

a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
c Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Установлено, что легирование кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ иттербием из паровой фазы приводит к появлению в спектрах низкотемпературной люминесценции двух новых полос. Излучение в области энергий 1.15–1.35 эВ обусловлено переходами в ионе Yb$^{3+}$, а краевая полоса – переходами свободных электронов на акцепторные уровни неконтролируемых примесей Li с участием LO-фононов.

Поступила в редакцию: 07.12.2017
Исправленный вариант: 30.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47283.8792


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 310–312

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024