Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов

Исследованы свойства квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной миграционно-стимулированной эпитаксии при пониженном давлении с применением субмонослойного осаждения. Длина волны их фотолюминесценции при 300 K находится в диапазоне 1.28–1.31 мкм, ею можно управлять путем изменения температуры роста и числа циклов осаждения квантовых точек. Максимальная поверхностная плотность квантовых точек 3 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$. Выращены структуры с 1–3 слоями квантовых точек с толщинами спейсерных слоев между ними 5–12 нм и селективным легированием последних (а также покровных слоев) углеродом (акцептор). Установлено, что фотолюминесценция квантовых точек характеризуется повышенной степенью поляризации в ортогональном плоскости структуры направлении, что должно благоприятствовать их применению для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов в светоизлучающих диодах Шоттки.