RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 365–369 (Mi phts5567)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

А. В. Бабичевab, А. Г. Гладышевab, А. С. Курочкинa, Е. С. Колодезныйa, В. Н. Неведомскийc, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, А. Н. Софроновd, А. Ю. Егоровab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Представлены результаты экспериментов по изготовлению методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию гетероструктур двухчастотного квантово-каскадного лазера, изготовленных на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As на подложке InP. Гетероструктуры содержали квантовые каскады, излучающие на длине волны 9.6 мкм, и каскады, которые излучают на длине волны 7.6 мкм. Показано высокое структурное совершенство изготовленных гетероструктур. Проведено исследование спектров спонтанного и стимулированного излучения, продемонстрирована многомодовая лазерная генерация полосковых лазеров на длине волны излучения 7.6 мкм.

Поступила в редакцию: 29.10.2018
Исправленный вариант: 05.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47289.9015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 345–349

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024