RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 370–380 (Mi phts5568)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов

А. А. Корякинab, С. А. Кукушкинabcd, Н. В. Сибиревb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследован механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов в интервале температур 420–450$^\circ$C. При расчете интенсивности твердофазной нуклеации впервые учтено влияние упругих напряжений, вызванных разностью атомных плотностей катализатора и нитевидного нанокристалла. В предположении, что рост GaAs зародыша на границе раздела катализатор-кристалл ограничен диффузионным потоком мышьяка в катализаторе, показано, что рост согласно механизму пар-кристалл-кристалл может реализоваться в рассматриваемом интервале температур за счет полицентрической нуклеации. Показано, что интенсивность нуклеации когерентных зародышей при механизме роста пар–кристалл–кристалл может быть выше интенсивности нуклеации зародышей при механизме роста пар–жидкость–кристалл вследствие низкого значения межфазной поверхностной энергии, реализующейся при когерентном сопряжении твердая фаза – твердая фаза. Доказано, что нуклеация Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов по механизму пар–кристалл–кристалл возможна только в том случае, когда рост GaAs-зародыша происходит за счет диффузии атомов мышьяка вдоль границы раздела катализатор–кристалл.

Поступила в редакцию: 14.08.2018
Исправленный вариант: 10.09.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47290.8524


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 350–360

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024