Ю. А. Кабальнов, А. Н. Труфанов, С. В. Оболенский, “Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3,страницы 388

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире

Ю. А. Кабальнов^a, А. Н. Труфанов^a, С. В. Оболенский^b

^a Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.

Поступила в редакцию: 10.01.2018
Исправленный вариант: 13.09.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47292.8813