RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 396–400 (Mi phts5571)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

ЭДС, возникающая в $p$$n$-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света

Г. Гулямовa, У. И. Эркабоевb, Н. Ю. Шарибаевb, А. Г. Гулямовc

a Наманганский инженерно-строительный институт
b Наманганский инженерно-технологический институт, г. Наманган
c Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Рассмотрено влияние сильного электромагнитного поля на токи и электродвижущие силы в $p$$n$-переходе. Показано, что при воздействии электромагнитной волны $p$$n$-переход становится источником электродвижущей силы зависящей от тока. Получено аналитическое выражение для электродвижущей силы и внутреннего сопротивления такого источника. Из экспериментальных графиков вольт-амперной характеристики $p$$n$-перехода, помещенного в сильное сверхвысокочастотное электромагнитное поле, получены графики зависимости электродвижущей силы и внутреннего сопротивления от токов через диод.

Поступила в редакцию: 15.05.2018
Исправленный вариант: 01.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47293.8913


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 375–378

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024