Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)

Приводится обзор результатов, полученных при исследовании светодиодов на основе гетероструктур с активной областью из InAs, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, за последние 10 лет. Проводится анализ картины ближнего поля, ватт-амперных, вольт-амперных характеристик и квантового выхода светодиодов, имеющих конструкцию с точечным контактом и флип-чип, в широком диапазоне температур.