RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 158–160 (Mi phts5579)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности свойств редкоземельных полупроводников

В. В. Каминский, Н. В. Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показано, что уникальные особенности физических свойств редкоземельных полупроводниковых соединений имеют в своей основе малые величины ионизационных потенциалов редкоземельных элементов в них. Причиной этого является наличие 4$f$-оболочек в электронной структуре элементов.

Поступила в редакцию: 17.04.2018
Исправленный вариант: 21.08.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47091.8893


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:2, 150–152

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024