RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 181–189 (Mi phts5584)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрен способ создания прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова для применений, предполагающих большие значения плотностей токов. Такие пленки должны сочетать в себе хорошую поверхностную проводимость с повышенным коэффициентом пропускания излучения в широком диапазоне длин волн. Предлагается двустадийный процесс создания покрытий: на первом этапе формируется плотная пленка оксида индия и олова с хорошей электрической проводимостью, а в дальнейшем наносится дополнительный просветляющий слой этого же материала. Исследовались возможные способы оптимизации свойств таких, дополнительных, пленок оксида индия и олова, полученных путем создания наноструктурированных самоорганизующихся покрытий на поверхности плотных пленок. Показано, что наилучший вывод света в широком диапазоне длин волн обеспечивает метод комбинированного нанесения пленок, заключающийся в создании самоорганизующихся наноструктурированных покрытий методом электронно-лучевого испарения на горячую подложку и дальнейшем заращивании пустот методом магнетронного распыления при комнатной температуре. Поскольку оптические свойства получаемых просветляющих покрытий зависят от соотношения масс вещества, осаждаемых на каждой стадии их нанесения, метод позволяет оптимизировать свойства пленок, исходя из задач, поставленных сферой их применения. Компьютерное моделирование характера распределения материала в структуре исследованных покрытий подтверждает способность метода комбинированного нанесения пленок создавать наиболее плавный характер изменения эффективного показателя преломления в структуре покрытия, приводящий к максимальному выводу света оптического диапазона.

Поступила в редакцию: 19.06.2018
Исправленный вариант: 02.07.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47096.8940


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:2, 172–179

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024