Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, И. С. Мухин, А. А. Серин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Ю. М. Шерняков, Ю. М. Задиранов, М. В. Максимов, “Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2,страницы 211

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал

Н. Ю. Гордеев^a, А. С. Паюсов^a, И. С. Мухин^bc, А. А. Серин^a, М. М. Кулагина^a, Ю. А. Гусева^a, Ю. М. Шерняков^a, Ю. М. Задиранов^a, М. В. Максимов^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Разработана постростовая технология пространственной модуляции отражения выходных зеркал торцевых полупроводниковых лазеров, основанная на травлении диэлектрических покрытий фокусированным ионным пучком. Показано, что в лазерах на InAs/InGaAs-квантовых точках с шириной полоскового волновода 10 мкм модуляция отражения позволяет эффективно подавлять генерацию поперечных горизонтальных мод высокого порядка.

Поступила в редакцию: 01.08.2018
Исправленный вариант: 13.08.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47100.8971