Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света

Представлены результаты исследования спектральных характеристик отражения микромассивов кремниевых нанопилларов (Si НП) в диапазоне длин волн от 400 до 1100 нм. Кремниевые нанопиллары были сформированы методом электронной литографии на негативном резисте с последующим реактивным ионным травлением через маску из резиста и SiO$_{2}$ толщиной 100 нм. В спектрах отражения микромассивов нанопилларов наблюдаются минимумы, положения которых сильно зависят от диаметра нанопилларов.