С. К. Брантов, Е. Б. Якимов, “Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2,страницы 231

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал

С. К. Брантов^a, Е. Б. Якимов^b

^a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия

Аннотация: Разработан способ непрерывного выращивания слоя самосвязанных кристаллитов карбида кремния на поверхности гибкой углеродной фольги с последующей пропиткой получаемых структур расплавом кремния. На основе полученного композиционного материала изготовлены терморезисторы для температурного диапазона 900–1450 K с термочувствительностью, достигающей значения 11350 K, способные использоваться в воздушной среде. Исследованы структурные и электрофизические характеристики упомянутого материала.

Поступила в редакцию: 18.07.2018
Исправленный вариант: 27.07.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47104.8962