RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 246–248 (Mi phts5595)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP

Е. А. Гребенщиковаa, В. Г. Сидоровb, В. А. Шутаевa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "АИБИ", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована скорость изменения фототока короткого замыкания диодов Шоттки Pd/$n$-InP в зависимости от присутствия водорода в газовой смеси с концентрацией H$_{2}$ в интервале 1–100 объемных %. Показано, что при одновременном воздействии на диод Шоттки газовой смеси, содержащей водород, и освещения ($\lambda$ = 0.9 мкм) концентрация водорода в газовой смеси и скорость изменения фототока диода Pd/$n$-InP связаны между собой экспоненциально. С увеличением интенсивности освещения увеличивается скорость реакции диодов Шоттки на присутствие водорода в газовой смеси.

Поступила в редакцию: 01.08.2018
Исправленный вариант: 13.08.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47107.8967


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:2, 234–236

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024